Resumen Curricular
Postdoctorado, Dpto. de Ing. Elec. (UT-Dallas, USA, 2006)
Doctorado (Física), Dpto. de Física (Cinvestav-IPN, 2004)

Experiencia Laboral
Investigador Titular (Unidad Mty), CIMAV, 2008-presente.
Investigador Científico, Dpto. de Mat., UT-Dallas, 2006-2008.
Investigador Postdoctoral, Dpto. de Ing. Elec., UT-Dallas, 2004-2006.

Lineas de Investigación
  • Energías renovables: Modificaciones de electrodos en celdas solares orgánicas
  • Electrónica avanzada: Transistores MOS de alto desempeño y electrónica flexible
  • Ciencia de superficies: Reacciones químicas en superficies e interfaces

Energías renovables: Modificaciones de electrodos en celdas solares orgánicas
Una celda fotovoltaica es un dispositivo que permite la conversión directa de la luz en electricidad. La absorción de la luz se da a nivel atómico o molecular generando electrones libres que son recolectados a través de contactos para producir una corriente eléctrica. Para que las celdas solares representen una alternativa útil de energía renovable alterna se necesita desarrollar una tecnología de fabricación de dispositivos de bajo costo y alta eficiencia. Una alternativa más viable para celdas solares debe cumplir con costos de materiales y procesamiento más bajos como sería el caso de las celdas solares orgánicas.  Las celdas solares basadas en la heterounión en bulto de P3HT/PCBM pueden alcanzar una eficiencia teórica en el aprovechamiento de la radiación solar de hasta un 10% a un costo de fabricación 10 veces menor a las celdas basadas en silicio policristalino. En la actualidad se han demostrado eficiencias de hasta 5% en estas celdas solares orgánicas. Las barreras de potencial formadas en las interfaces entre la región activa y los contactos comprometen la recolección de las cargas eléctricas generadas y por lo tanto la eficiencia de las celdas. Una vía encaminada a incrementar dicha eficiencia consiste en la reducción de estas barreras de potencial. Se propone modificar interfaces entre los contactos la región activa de una celda solar orgánica basada en la heterounión P3HT/PCBM para optimizar la recolección de cargas. Dos de los temas de investigación posibles para desarrollar tesis son:

  • Desarrollo de capas metálicas ultra-delgadas con funciones de trabajo adecuadas para minimizar las barreras de potenciales en las interfaces.
  • Caracterización eléctrica y estudios de degradación en celdas solares orgánicas.


Electrónica avanzada: Transistores MOS de alto desempeño y electrónica flexible.
Desde sus inicios la industria semiconductora ha demostrado ser una vía para el desarrollo de economías locales, generando la creación de empleos y de competencia en medio ambientes globalizados. La electrónica flexible es una tecnología emergente que representa un nicho de oportunidades para el desarrollo económico de nuestro país. En la actualidad existen grandes esfuerzos para desarrollar semiconductores orgánicos como una alternativa viable para remplazar al silicio amorfo en transistores de película delgada (TFT, por sus siglas en inglés). El parámetro característico en estos materiales es la movilidad de portadores. Además de los factores estructurales, como lo son los la densidad de defectos y fronteras de grano, la movilidad de portadores se encuentra determinada por la estructura electrónica de bandas y por estados localizados en el semiconductor orgánico y en sus interfaces con el dieléctrico y contactos. Se proponen los dos siguientes temas principales de investigación en el área de electrónica flexible.

  • Pasivacion de superficies de semiconductores de alta movilidad de portadores (GaAs, InGaAs y Ge) para transistores MOSFETs de alto rendimiento.
  • Desarrollo de nuevos contactos para transistores orgánicos de película delgada (OTFT) para aplicaciones en electrónica flexible.


Ciencia de superficies: Reacciones químicas en superficies e interfaces.
En algunos procesos como oxidación, nitridación y crecimiento de películas delgadas o recubrimientos, las propiedades electrónicas y estructurales se encuentran determinadas por las reacciones químicas que se dan en las superficies e interfaces de los materiales. Las técnicas de caracterización mas adecuadas para el estudio del enlace químico son las espectroscopias ópticas y electrónicas como XPS, AES, EDS, FTIR y Espectroscopia Raman. Se proponen los siguientes temas de investigación en el área de la ciencia de superficies e interfaces de películas delgadas y recubrimientos duros:

  • Estudio del enlace químico en superficies e interfaces de materiales inorgánicos con aplicaciones en dispositivos electrónicos avanzados.
  • Caracterización del enlace químico en interfaces orgánico-orgánico y orgánico-inorgánico para aplicaciones en dispositivos electrónicos y fotovoltaicos flexibles.
  • Cuantificación de perfiles químicos en películas nanométricas por ARXPS.



Figura 1. Estudio por XPS de reacciones químicas interfaciales para aplicaciones en dispositivos fotovoltaicos y electrónicos.




Publicaciones Selectas (5)

  • M. Milojevic, F. S. Aguirre-Tostado, C. L. Hinkle, H. C. Kim, E. M. Vogel, J. Kim, and R. M. Wallace, "Half-cycle atomic layer deposition reaction studies of Al2O3 on In0.2Ga0.8As (100) surfaces", Appl. Phys. Lett. 93, 202902 (2008).

  • A. Herrera-Gomez, F. S. Aguirre-Tostado, M. A. Quevedo-Lopez, P. D. Kirsch, M. J. Kim, and R. M. Wallace, "Thermal stability of nitrogen in nitrided HfSiO2/SiO2/Si(001) ultrathin films", J. Appl. Phys. 104, 103520 (2008).

  • F. S. Aguirre-Tostado, M. Milojevic, B. Lee, J. Kim, and R. M. Wallace, "In situ study of surface reactions of atomic layer deposited LaxAl2-xO3 films on atomically clean In0.2Ga0.8As", Appl. Phys. Lett. 93, 172907 (2008).

  • C. L. Hinkle, A. M. Sonnet, M. Milojevic, F. S. Aguirre-Tostado, H. C. Kim, J. Kim, R. M. Wallace, and E. M. Vogel, "Comparison of n-type and p-type GaAs oxide growth and its effects on frequency dispersion characteristics", Appl. Phys. Lett. 93, 113506 (2008).

  • F.S. Aguirre-Tostado, M. Milojevic, B. Lee, C. Hinkle, K.J. Choi, E. Vogel, J. Kim R.M. Wallace, T. Yang, Y. Xuan and P.D. Ye, "S passivation of GaAs and band bending reduction upon atomic layer deposition of HfO2/Al2O3 nanolaminates", Appl. Phys. Lett. 93, 061907 (2008).